薄膜層一島結合生長模式
層狀一島狀結合生長(又稱Stranski-Krastanoy)模式。在最開始一兩個原子層厚度的層狀生長之后,生長模式轉化為島狀模式。導致這種模式轉變的物理機制較復雜,往往在基片和薄膜原子相互作用特別強的情況下,才容易出現這種生長模式。首先在基片表面生長1層一2層單原子層,這種二維結構強烈地受到基片晶格的影響,晶格常數有較大的畸變。然后再在這原子層上吸附入射原子,并以核生長的方式生成小島,最終形成薄膜。在半導體表面上形成金屬薄膜時,常常是這種層一島生長型,如在Ge的表面蒸發(fā)Gd,在Si的表面蒸發(fā)Bi,Ag等都屬這種類型。