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彎盤(pán)法的基本原理與懸臂梁法相同,也是利用基片的形變測(cè)定內(nèi)應(yīng)力的。所不同的是基片為圓形,在沉積薄膜前后測(cè)量基片的曲率半徑Rl和R2,然后根據(jù)下式計(jì)算出薄膜中的內(nèi)應(yīng)力。
為了保證測(cè)試系經(jīng)有較高的靈敏度,需要選用合適的基片和檢測(cè)方法?,F(xiàn)在常用的基片是玻璃、石英、單晶硅等,基片的表面要進(jìn)行光學(xué)拋光。
在沉積前后,將基片放在石英板的光學(xué)平面上,測(cè)M其曲率半徑,其中最常用的是牛頓環(huán)法,圖7一8是其檢測(cè)原理圖。把試樣放在光學(xué)平面上后,用垂直于表面的光照射,這時(shí)在試樣表面和光學(xué)平面之間由于光的干涉而產(chǎn)生牛頓環(huán),測(cè)量牛頓環(huán)的間隔就可以測(cè)定基片的曲率半徑,從而算出內(nèi)應(yīng)力。
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